半导晶体件的检测方法

解析：半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。因此一般情况下半导体使用轴承、导轨的时候需要检测体内的害素，避免对轴承、导轨之类的零件设备造成不良的专做，下面我们一起来认识一下《半导晶体的检测方法》吧。

    1.晶体二极管的检测

　　首先要正确判断其正负极。一般在二极管的外壳上，带有三角形箭头的一端为正极，另一端就是负极。在点触二极管时，一般有色点的一端为正极，还有的二极管上标有色环，带色环的一端为负极。还有一种是以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。其次，检测最高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。

　　2.晶体三极管的检测

　　关于三极管的检测，首先要理解半导体三极管处在静态工作时的工作状态和三极管放大电路的组成原理；其次，三极管放大倍数β值测量电路的功能是利用三极管的电流分配特性，将放大倍数β值的测量转化为对三极管电流的测量，同时实现用数码管和发光二极管显示出被测三极管的放大倍数β值。关键的是，测量三极管的电流需要是稳定的直流电流。

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